偏钨酸铵半导体
偏钨酸铵半导体并不存在,因为偏钨酸铵(AMT)本身不具有半导体特性,它是指偏钨酸铵用于制备三氧化钨(WO3)半导体,是半导体和电子工业中生产WO3以及金属钨的一种重要的中间产品。
偏钨酸铵用于电子行业主要有电容器、屏蔽件和半导体设备的薄膜衬底等的制备。偏钨酸铵常作为钨源,通过加入特定配比的其它原料(如柠檬酸和硫酸钠)制备三氧化钨半导体。WO3是一种具有六方、立方等多种对称型结构的η型半导体材料,由于具有优异的电致变色、气致变色和光致变色特色、光催化性能、气敏性等特殊性能而备受关注。
偏钨酸铵用于半导体设备的薄膜衬底主要是起支撑和改善薄膜特性的作用。因为衬底材料性质和衬底表面形状对薄膜的特性有很大的影响,而生长在衬底上的薄膜,一般要求其厚度在纳米至微米之间,故而要求衬底表面有超高平整度;因而,薄膜和衬底的结合是一个非常重要的方面,如果两者晶格不匹配,则在薄膜形成初期阶段会形成一个较长的过渡区域。