偏鎢酸銨半導體

偏鎢酸銨图片

偏鎢酸銨用於電子行業主要有電容器、遮罩件和半導體設備的薄膜襯底等的製備。偏鎢酸銨常作為鎢源,通過加入特定配比的其它原料(如檸檬酸和硫酸鈉)製備三氧化鎢半導體。WO3是一種具有六方、立方等多種對稱型結構的η型半導體材料,由於具有優異的電致變色、氣致變色和光致變色特色、光催化性能、氣敏性等特殊性能而備受關注。

偏鎢酸銨用於半導體設備的薄膜襯底主要是起支撐和改善薄膜特性的作用。因為襯底材料性質和襯底表面形狀對薄膜的特性有很大的影響,而生長在襯底上的薄膜,一般要求其厚度在納米至微米之間,故而要求襯底表面有超高平整度;因而,薄膜和襯底的結合是一個非常重要的方面,如果兩者晶格不匹配,則在薄膜形成初期階段會形成一個較長的過渡區域。